Name: Rohm Semiconductor R6012ANX
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: R6012ANX
Price: 2.747 USD
Availability: InStock
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Rohm Semiconductor R6012ANX

Artikelnummer:

R6012ANX

Hersteller / Marke:

LAPIS Technology

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM

Datenblätte:

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$2.747

Spezifikationen
Einkaufshandbuch
Versandinformationen
Verpackung

~~Rohm Semiconductor R6012ANX Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments R6012ANX.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	4.5V @ 1mA
Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	TO-220FM
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	420mOhm @ 6A, 10V
Verlustleistung (max)	50W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3 Full Pack
Paket	Bulk
Betriebstemperatur	150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	35 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	12A (Ta)
Grundproduktnummer	R6012
R6012ANX Einzelheiten PDF [English]	R6012ANX PDF - EN.pdf

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Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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